据麻省理工学院官网10月22日消息，在近期举行的IEEE/ACM国际微架构研讨会上，麻省理工学院、英特尔和苏黎世ETH的研究人员提出一种新的高速缓存管理方案，可以将封装中的高速缓存数据速率提高33％至50％。研究团队将作为主储存器的动态随机存储器（DRAM）封装在芯片上，随后对内存管理系统进行修改，开发出名为“Banshee”的选择性储存器系统。研究人员表示，新型高速缓存管理方案可大大节省DRAM带宽，从而大幅提升数据传输速率。

http://news.mit.edu/2017/new-high-capacity-data-caches-more-efficient-1023