我国科学家研发出新型相变材料,或将突破读写存储速度极限

2017-11-16  中国 来源:国际海事信息网 领域:新材料

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据国际海事信息网11月16日消息,中科院上海微系统与信息技术研究所和西安交通大学的科学家,利用材料计算与设计的手段筛选出新型相变材料钪锑碲合金。该材料利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程,显著降低了形核过程的随机性,并大幅加快结晶化,即写入操作速度。与业内性能最好的相变器件相比,钪锑碲器件的操作速度提升超过10多倍,达到0.7纳秒的高速可逆操作,并且使操作功耗降低了近1/10。该研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义,并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了基础。

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