据大国重器11月27日消息，芬兰阿尔托大学的研究人员发现在氮化镓（GaN）中掺杂铍可以提高功率电子设备的效率。研究人员发现，铍原子在GaN中表现出两性行为，在加热和冷却过程中，铍原子在晶格中会从替换位置转变到间隙位置，从而改变GaN的电子性能。通过调节温度，研究人员可对铍掺杂的GaN结构及其电子性能进行完全控制，从而可以提升功率电子设备的效率。

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