韩国开发出下一代纳米半导体图像传感器

2018-01-10  韩国 来源:科技部官网 领域:信息, 新材料

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据科技部官网1月9日消息,韩国科学技术研究院发布消息称,该院联合延世大学利用二维二硒化钨纳米材料和一维氧化锌氧化物半导体纳米线,开发了可以感知从紫外线到近红外线光的光电二极管器件。二维二硒化钨纳米材料具有光响应性能强、电子迁移率高的特性,可应用于P型半导体元件;一维氧化锌纳米线具有电子迁移率高的特性,可应用于高性能N型半导体元件。研究组将一维二维材料混合后形成了混合维空间双层结构(PN型),研制出光电二极管元件。该研究有望广泛应用于新一代图像传感器元件。

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