据国防科技信息网3月22日消息，美国罗彻斯特理工学院近日采用名为“逆金属辅助化学蚀刻”（I-MacEtch）的新工艺，成功制备了Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。I-MacEtch工艺结合了传统湿法蚀刻和反应离子蚀刻（RIE）工艺的优点，可用于高效地制造电子器件中的半导体。研究人员表示，新型制造工艺在开发高纵横比结构（如纳米线）的有序阵列方面有着良好前景。

http://www.dsti.net/Information/News/108925

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2018/mar/rit_210318.shtml