据国防科技信息网6月28日消息，IBM苏黎世研究院与德国亚琛工业大学共同开发出基于玻璃态金属锑的新型单元素相变存储器，解决了传统多元素相变存储器局部组分变化问题，为进一步缩小相变存储器尺寸、增大存储密度奠定了基础。目前新型锑金属基单元素相变存储器的工作电压脉冲长度仅为10纳秒，通过进一步缩小尺寸、降低功耗、增强耐久性，有望直接应用于“内存内计算”、“记忆型储存级存储器”、“脑启发计算”等前沿技术领域。

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