据中央日报网6月27日消息，韩国半导体公司SK海力士全球首次成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将于2019年下半年开始投入量产。SK海力士利用高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路等技术，研发出单颗芯片容量128MB，业内存储密度最高的TLC闪存。NAND闪存具有功耗低、重量轻和性能佳等特性，可应用于对传输速度有要求企业级固态硬盘（SSD）、需要大容量存储芯片的5G移动通信智能手机等领域。

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