据大国重器12月18日消息，美国麻省理工学院和科罗拉多大学的研究人员研制出最小三维晶体管，其尺寸不到当今最小商业模型的一半。研究人员改进热原子级蚀刻技术，可以在原子级精确地修改半导体材料。利用这种技术制造出的CMOS三维晶体管窄至2.5纳米，且效率高于商用晶体管。相关研究成果发表于《IEEE IEDM》期刊上。