据EurekAlert网站1月14日消息，荷兰埃因霍芬理工大学光子集成研究所研制出新一代光子存储器件，可将光脉冲以极快速度直接写入磁存储器中。研究团队利用单飞秒激光脉冲实现了合成亚铁磁体的全光学切换，从而实现了数据的直接写入并极大降低了能耗。与现有技术相比，新型光子存储器件的写入速度提升了100-1000倍。此外，研究团队将全光开光与赛道存储器结合起来，实现了“动态”数据的写入。该技术有望广泛应用于光子集成电路并彻底改变数据的存储过程。相关研究成果发表于《Nature Communications》期刊。

https://www.eurekalert.org/pub_releases/2019-01/euot-ng011419.php