据EurekAlert网站5月3日消息，美国斯坦福大学的科研人员将聚合物基氧化还原晶体管与导电桥存储器(CBM)进行集成，研制出名为“离子浮栅内存”(IFG)的非易失性、可寻址的突触存储器。该人工突触的工作原理类似电池，通过调高或调低两个端子间的电力流动来模拟人脑神经元的学习过程，并允许并行编程。通过稀释绝缘通道中的导电聚合物，研究人员可以将突出权重的读取电流降到10纳安以下。研究人员构造出一个3×3的人工突触阵列并进行验证，结果显示其性能超出预期，能效比现有计算技术高一个数量级，能够支持超过1兆赫的读写频率。相关研究成果发表于《Science》期刊。

https://www.eurekalert.org/pub_releases/2019-05/su-sra050319.php