美国空军实验室与BAE系统公司合作研发短栅氮化镓半导体技术
2019-10-12 美国
来源：国防科技信息网
领域：信息
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据国防科技信息网10月12日消息，美国空军实验室与BAE系统公司合作研发下一代短栅氮化镓半导体技术。该技术对雷达、通信、电子战等武器装备的性能提升至关重要。目前，研究人员正努力攻关，试图将140纳米氮化镓单片微波集成电路工艺扩展至6英寸晶圆上，并提高制造成熟度和稳定性，包括器件性能的优化、保证晶圆的良品率等。若研制成功，美军雷达、电子战和通信设备效率将进一步提高。
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