美国普渡大学开发出新型铁电半导体场效应晶体管(FeS-FET),有望带来芯片领域的变革
2019-12-10 美国
来源:EurekAlert
领域:新材料
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据EurekAlert!网站12月9日消息,美国普渡大学研究人员采用二维铁电半导体材料硒化铟(In2Se3),开发出新型铁电半导体场效应晶体管(FeS-FET)。硒化铟在室温下具有明显的铁电特性,同时兼具良好的半导体性能,非常适于开发非易失性铁电存储器(FeRAM)。研究人员采用α-硒化铟代替常规半导体研制出FeS-FET晶体管,并对其性能进行测试。结果表明,FeS-FET晶体管具有高速、低功耗、高集成密度等优点,其性能与现有铁电场效应晶体管(FeFET)相当。研究人员表示,新型FeS-FET晶体管能够同时处理和存储数据,未来可用于模拟人脑神经网络。相关研究成果发表于《Nature Electronics》期刊。