美国阿贡国家实验室开发出分子层蚀刻技术，可帮助制造更小的电子器件
2020-02-12 美国
来源：PHYS
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据PHYS网2月12日消息，美国阿贡国家实验室开发出分子层蚀刻技术，有望用于制造更小的电子器件。研究人员将几纳米或几微米厚的半导体薄膜暴露于洁净环境的气体脉冲中，令气体与半导体材料进行反应，直至变成目标厚度。该技术有望帮助研究人员寻找控制纳米级材料的几何形状的新途径，将为微电子学打开新的大门，并延续摩尔定律。
https://phys.org/news/2020-02-etching-technique-advance-semiconductor-devices.html
