2020-03-09 英国 来源：国防科技信息网 领域：新材料
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据国防科技信息网3月9日消息，英国e2v公司发布了一款面向军工和宇航高可靠性应用的全新100-V/90-A抗辐照加固氮化镓(GaN)大功率高电子迁移率晶体管(HEMT)产品。该器件具有输出电容低、导通电阻小等特点，允许最高可达650 伏的高电压和150安的大电流，并具备良好的栅极电压耐受性。该器件集成了氮化镓系统(GaN Systems)公司的Island专利技术，能利用可扩展的垂直电荷耗散系统，使功率晶体管具备超低热损耗、高功率密度、无电荷存储和高开关速度等优点。
