美国研究人员发现自旋电子学新机制,有望用于改进数据存储技术

2020-05-21  美国 来源:国防科技信息网 领域:信息

关键词:

据国防科技信息网5月21日消息,美国纽约大学和IBM公司研究人员发现了一种控制磁性材料中电子运动的新机制,可用于改进数据存储技术。在该研究中,研究人员部署了一种铁磁导体,并发现导体中的电流流动可以产生电子自旋极化现象,而自旋极化的方向是由磁矩确定的。由此,可以通过将磁矩方向设置成所需方向,来设置电子自旋极化方向,这使得对电子的控制具备极高灵活性。该发现有望帮助开发更高密度、更高效的自旋控制存储器件。
http://www.dsti.net/Information/News/119421