2020-07-03 美国 来源：科技日报 领域：新材料
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据科技日报7月3日消息，美国斯坦福大学、加州大学伯克利分校和德克萨斯A＆M大学的研究人员利用层状二碲化钨制成了二维金属芯片，其厚度仅三个原子，可代替硅芯片存储数据，且比硅芯片更密集、更小、更快、更节能。此外，新芯片在更节能的同时，存储速度提高了100多倍。目前，团队已为该设计申请了专利，并继续研究下一步改进方法，如寻找除二碲化钨之外的其他二维材料。研究人员表示，对超薄层进行非常小的调整，就会对其功能特性产生很大的影响，而研究人员可以利用这一特性来设计新型节能设备，以实现可持续发展和更智慧的未来存储方式。
