美国研究人员开发出二维金属存储芯片

2020-07-03  美国 来源:CNBETA 领域:信息

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据cnBeta网7月3日消息,美国斯坦福大学、加州大学伯克利分校和德克萨斯A&M大学的研究人员开发出层状二碲化钨制成的二维金属存储芯片。该芯片由二碲化钨金属化合物排列成的超薄层制成,每层仅有3个原子厚。研究人员对二碲化钨薄层结构施加微小电流,使其奇数层相对于偶数层发生稳定的偏移,并利用奇偶层的排列来存储二进制数据。数据写入后,再通过一种称为贝利曲率的量子特性,在不干扰排列的情况下读取数据。该芯片可将更多的数据填充到极小的物理空间中,并且具有能源效率和速率优势,其数据写入速度比现有的硅基芯片快100倍。在下一阶段的研究中,研究人员希望能利用更多与二碲化钨类似的材料构建二维芯片。
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