2020-07-16 韩国 来源：国防科技信息网 领域：新材料
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据国防科技信息网7月15日消息，韩国蔚山国立科学技术研究院推出适用于下一代电子产品的超薄氮化硼薄膜（a-BN）。当前，在半导体行业，研究人员进行大量研究来获得相对介电常数（k值）较低的材料，并避免在薄膜中人为地增加孔隙。而已经研发出的低k值的材料具有不良的机械性能和化学稳定性，使其未能成功地集成到互连件中。a-BN薄膜具有极低的介电常数、高击穿电压和出色的机械性能、金属阻挡性能。研究人员认为该项研究有助于解决CMOS IC制造中互连的长期挑战，实现更小巧、更紧凑的电子解决方案，推动器件进一步小型化。
