据新材料在线8月7日消息，中国西安电子科技大学研究团队基于研发的“转印与自对准刻蚀技术”，首次实现了晶圆级硅与氮化镓单片异质集成的增强型共源共栅晶体管，取得了硅和氮化镓晶圆级单片异质集成新突破。新技术避免了昂贵复杂的异质材料外延和晶圆键合的传统工艺技术，有望成为突破摩尔定律的一条有效技术路径。研究人员称新技术有望将多种不同的功能材料如硅、氮化镓等集成在晶圆级的单片上，以此为基础制造的器件及集成电路理论上具有更强大的功能与更高的集成度。

资料来源：http://advmm.whlib.ac.cn/STMonitor/qbwnew/bianyi_recordshow.htm?id=46231&parentPageId=1596780313629&serverId=12&controlType=