据IEEE官网9月24日消息，美国加州大学圣芭芭拉分校开发出一种氮化镓功率放大器，可用于高频通信，有望促进6G技术的推出。该功率放大器的核心为高电子迁移率晶体管（HEMT），这种晶体管在带隙不同的氮化镓和氮化铝镓材料交界处形成。在交界处，氮化镓的自然极性导致名为“二维电子气”(2DEG)的多余电荷聚集。这些电荷的存在使得电子可以在HEMT内自由移动，从而使功率放大器具有在高频下运行的能力。目前，对该设备的测试集中于94GHz频率。在该频率下，放大器可产生8.8瓦每毫米的功率，效率为27％，而过往的同类器件仅能产生约2瓦每毫米的功率。之后，研究人员计划在140GHz和230GHz的频率下对该器件进行测试，以进一步证实设备应用于高频通信的可行性。
https://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/devices/breakthrough-could-lead-to-amplifiers-for-6g-signals