据TechXplore网11月23日消息，美国德克萨斯大学奥斯汀分校研究人员成功使用单个原子的运动存储数据，开发出当今最小的原子存储单元。研究人员将金属原子注入或移出仅有单原子直径厚的二硫化钼薄层的材料缺陷中，使材料的电导性发生变化，从而产生忆阻器的工作特性。对这种材料施加一定的电压时，其电阻可以变得更强或更弱。研究人员可以使用这种现象写入数据，并通过测量其相对电阻的方式以“读取”存储的数据。研究人员称，该研究的原理亦适用于更多相似的材料，有望为超密集存储、神经拟态计算系统和射频通信系统等领域的开发铺平道路。
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