据EurekAlert!12月10日消息，美国麻省理工学院研究人员发现砷化铟镓（InGaAs）材料有望用于制造更小、更节能的非硅基晶体管。此前认为InGaAs性能会在较小的尺度下出现滑坡，但新研究表明，这种明显的滑坡不是材料本身的固有特性，而是由于氧化物陷阱，该现象会导致电子在流过晶体管时遭遇限制。研究人员通过研究晶体管的频率依赖性证明了氧化物陷阱的存在，并称以后基于InGaAs的晶体管研究要解决的问题不是InGaAs晶体管本身，而是氧化物陷阱。

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