据DeepTech深科技公众号1月25日消息，美国麻省理工学院与格芯公司合作，实现全硅基光电融合突破性进展。受限于材料特性，硅材料缺乏独立发光能力，限制其在光电半导体设备中的广泛运用。麻省理工学院与格芯公司设计出一种微米级大小正向偏置全硅基发光二极管（LED），在完全集成于55纳米制程商用微电子芯片（无任何实验室处理）的基础上实现了低电压、高速高亮的近红外发光，其发光强度和调制解调速度可同时达到此前类似器件实验室记录的十倍以上。此外，他们还尝试了将该二极管和另外单独开发的单光子雪崩二极管以及其他微电子器件集成于单块硅芯片上，并首次演示了基于光纤传输的全硅基芯片到芯片的高速光通信概念性实验。相关研究为微电子芯片光互连、短距高速光通信以及高度集成的光学传感与探测提供了新的可能性。
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