据TechXplore网2月5日消息，日本东京工业大学和NTT公司开发出一种基于互补金属氧化物半导体（CMOS）的高频收发器，适用于300GHz以上的5G应用。现有的300GHz CMOS发射器解决方案使用单个辐射元件，这限制了天线增益和系统的输出功率。新设备在相控阵配置中使用四个天线，并能调整天线信号的相对相位，使其具备超强的波束成形能力，可以创建具有自定义方向性的组合辐射图。该成果有望帮助研究人员获得更高的数据传输速率并利用电磁频谱中未被充分利用的部分。
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