据新材料快讯3月26日消息，日本科学技术振兴机构研究人员开发了一种氮化镓（GaN）基微机电系统（MEMS）谐振器，克服了硅基设备在较高温度下稳定性差的缺陷，即使在600K高温热源下也能通过调节热应变稳定地运行。研究人员使用金属有机化学气相沉积法在硅衬底上制造了高质量的GaN外延膜，以制造GaN谐振器，并通过GaN和Si衬底之间的晶格失配和热失配来实现应变，改善性能。因此，无需任何应变消除层即可直接在Si上生长GaN。通过优化MOCVD生长过程中的降温方法，GaN晶体质量与使用超晶格应变消除层的常规方法所获得的晶体质量相当。该设备体积小、灵敏度高、可与CMOS技术集成，有望用于5G通信、IoT定时设备、车载应用和先进驾驶员辅助系统。

资料来源：https://mp.weixin.qq.com/s/41xofkyW4JSvbxQjLnRz0g