据国防科技信息网12月21日消息，比利时校际微电子中心（IMEC）纳米电子研究中心提出了3种新型氮化铝镓（AlGaN）/氮化镓（GaN）栈结构，具有优化的低色散缓冲设计。IMEC的目标是将这一技术推向产业化。目前IMEC提供了一个完整的200毫米的CMOS兼容工艺200V GaN生产线，可使增强型器件具有优良的规格。

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