据TechXplore网4月5日消息，澳大利亚皇家墨尔本理工大学研究人员开发出一种利用碲（Te）和硒（Se）的熔融混合物制造透明半导体的方法。研究人员首先制备碲和硒的熔融混合物，并使其在硬质表面上滚动，与氧气反应后，形成一层1.5纳米厚的超薄β碲酸盐（β-TeO2）氧化层。该氧化层在可见光谱内高度透明，并具有3.7eV的禁带宽度。经测试，利用这一材料制造的场效应晶体管显示出p型半导体的开关特性，并具有高空穴迁移率。该研究有望为新型透明电路的开发铺平道路。
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