据TechXplore 9月6日消息，香港科技大学（HKUST）的研究人员开发了一系列基于氮化镓（GaN）的互补逻辑集成电路（IC）。研究人员展示了一种单片集成GaN n-FET和p-FET的合适策略，并证明了构建基于GaN的互补逻辑IC的可行性。为此，研究人员使用了商用p-GaN栅极功率HEMT平台，可以将新开发的互补电路与现有功率器件集成。基于GaN制成的IC与基于硅的传统IC相比具有显著的优势，特别是在电力电子、射频功率放大器和设计用于在恶劣环境中运行的设备方面。未来GaN基IC可以帮助开发各种技术设备，包括用于电力转换、石油测井、喷气发动机控制和太空探索的工具。相关研究成果发表在《自然·电子学》期刊上。

消息来源：https://techxplore.com/news/2021-09-gallium-nitride-based-complementary-logic-circuits.html