据TechXplore网9月6日消息，香港科技大学研究人员开发出基于氮化镓（GaN）的互补逻辑集成电路。通常，氮化镓材料受限于材料特性而广泛用于功率和射频器件的制作，鲜用于逻辑器件的制作。香港科技大学研究人员基于硅基氮化镓功率HEMT（高电子迁移率晶体管）平台完成氮化镓互补逻辑集成电路的开发。该研究将有助于逻辑电路和功率转换电路的集成，帮助开发更贴合电力控制系统需求的电路。

消息来源：https://techxplore.com/news/2021-09-gallium-nitride-based-complementary-logic-circuits.html