据TechWeb网10月9日消息，韩国三星电子公司宣布将在2022年量产3nm芯片，在2025年量产2nm芯片。2021年6月，三星宣布其3nm制程技术已经正式流片。三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。三星电子的2nm制程量产计划比台积电和英特尔晚了1年左右。但是，台积电和英特尔计划在2nm制程中首次引入GAA，因此三星电子在GAA技术稳定性和良品率方面具有优势。为争取更多客户，三星、台积电和英特尔公司均正在大力推进先进制程芯片的研发。

消息来源：http://www.techweb.com.cn/world/2021-10-09/2859902.shtml