2022-02-16 英国 来源:其他 作者:李维科 领域:新材料
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据Phys.org网2月11日消息,英国曼彻斯特大学的研究人员证明了纳米级石墨烯基电子设备的自旋输运特性以提高纳米级器件的电子迁移率。研究人员使用六方氮化硼封装的单层石墨烯进行研究,其具有一维接触的范德华异质结构,在低温下测得130000cm2/Vs的电子迁移率,并观察到这种结构提供了极高质量的石墨烯通道,减少了传统二维隧道接触的干扰或电子“掺杂”。与传统电子产品相比,“自旋电子”设备可以提供更高的能源效率和更低的耗散。相关研究成果发表在《纳米快报》(Nano Letters)期刊上。
消息来源:https://phys.org/news/2022-02-advance-graphene-spintronics-1d-contacts.html