据Phys.org网3月17日消息，澳大利亚皇家墨尔本理工大学（RMIT）的研究人员将两种不同类型的二维材料铁电材料薄膜和磁性材料薄膜堆叠在一起，创造出一种提供增强特性的层状混合材料In₂Se₃/Fe₃GeTe₂。该材料结合了铁电材料和铁磁材料的独特特性，可通过固有的铁电特性来调整其异质结构的肖特基势垒高度（Schottky barrier height），无需外部应变即可控制新堆叠结构的电子特性。该材料未来可用于存储器和电子设备，如电视、计算机和电话。相关研究成果发表在《Nanoscale》期刊上。

消息来源：https://phys.org/news/2022-03-layered-material-future-electronics.html