据新智元公众号4月16日消息，俄罗斯宣布到2030年前投资约3万亿卢布（约合384亿美元）开发芯片设计、制造技术以及投资数据中心基础设施、相关人才培育等领域。其目标是在2022年底前实现自主量产90nm制程，2030年底自主量产28nm制程。此前，俄罗斯已经启动自研光刻机的计划，该计划由莫斯科电子技术学院 (MIET)承接，研发的光刻机计划达到EUV级别，但是其采用的并不是EUV光刻，是基于同步加速器和/或等离子体源的无需掩模的“X射线光刻机”。在西方频繁制裁的背景下，俄罗斯的系列举动凸显了关键技术自主的重要意义。

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