据cnBeta网4月29日消息，三星表示有望在2022年第二季度使用其3GAE制造工艺量产3nm芯片。三星代工的3GAE工艺技术是该公司第一个使用GAA晶体管的工艺，三星官方称之为多桥通道场效应晶体管（MBCFETs）。三星表示，3GAE工艺将使性能提高30%、功耗降低50%、晶体管密度提高80%。然而，性能和功耗的实际情况如何还有待观察。三星此举标志其成为全球首个达到3nm级制造技术的企业。

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