据中国半导体行业协会网站6月20日消息，日本东京大学工业科学研究所研究人员开发了一种基于铁电和反铁电场效应晶体管（FET）的概念验证3D堆叠存储单元。FET可以非易失性方式存储1和0数据，这意味着它不需要一直供电；垂直设备结构则增加了信息密度并降低了操作能源需求。此外，通过使用反铁电体代替铁电体，该存储单元只需要很小的净电荷就能擦除数据，从而提高了写入的效率。研究证实，该器件在至少1000个使用周期内都可保持稳定。研究人员称，新技术或将极大地改善非易失性存储器，同时有助于下一代消费电子产品开发。

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