2022-06-29 德国 来源：其他 作者：李维科 领域：新材料
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据EurekAlert网6月27日消息，德国奥登堡大学（University of Oldenburg）的研究人员通过强光-物质耦合控制半导体材料二硒化钨的二维超薄样品中的能级，对材料特性进行修改，提高了暗二维材料的发光效率。研究人员将二硒化钨样品放在两个专门准备的镜子之间，并使用激光激发材料，进而在光粒子之间建立耦合（光子）和激发电子，使得材料亮度增加。光效应可用于优化半导体的光学特性，从而有助于开发新型LED、太阳能电池、光学元件和其他应用。相关研究成果发表在《自然·通讯》（Nature Communications）期刊上。
