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韩国SK海力士宣布开发出238层NAND闪存芯片，拟2023年上半年量产

2022-08-04 韩国来源：其他作者：唐乾琛领域：信息

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据TechWeb网8月3日消息，韩国SK海力士宣布已开发出238层NAND闪存芯片。这是当前尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于计算机存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。