据TechXplore1月12日消息，韩国三星电子和美国芝加哥大学的研究人员开发出一种制造方法，可以在晶圆级尺度上可靠地集成基于过渡金属二硫化物 (TMD) 的场效应晶体管(FET)。TMD是一种基于过渡金属和硫属元素的化合物，具有良好的电子和机械性能，但由于材料和基板界面处的黏附能力较弱，TMD尚未被用于大规模制造晶体管。新方法基于黏附光刻技术，是一种在不同材料样品之间形成纳米级间隙的创新技术。未来，研究人员将进一步完善和改进该制造方法，以实现TMD基FET的大规模制造。相关研究成果发表在《自然·电子》（Nature Electronics）。

消息来源：https://techxplore.com/news/2023-01-method-reliably-fabricate-transition-metal.html