据国防制造5月15日消息，美国麻省理工学院开发出一种新的低温生长和制造技术，可以将 2D 材料直接集成到硅电路上，这可能会导致更密集和更强大的芯片。新技术可以直接在硅芯片上高效地“生长”二维过渡金属二硫化物 (TMD) 材料层，具有高效性和高均匀性，无需任何转移过程，极大缩短2D材料的生长时间。实验数据表明其不到一个小时就在整个8英寸硅片上高度均匀地生长出单层TMD材料。该技术还可将2D材料层集成到更大表面上，成为工业化应用的理想选择。该项工作得到美国陆军研究办公室和美国能源部等机构的资助。

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