2024-01-30 中国 来源：其他 作者：刘纪铖 领域：信息
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据TechWeb网1月28日消息，韩国三星电子公司在美国硅谷设立新实验室，专注于下一代3D DRAM内存研发。基于2013年全球首款3D垂直结构NAND（3D V-NAND）商业化的成功经验，三星电子的目标是主导DRAM 3D垂直结构的开发。据悉，2023年9月，三星电子曾开发出业界首款且容量最高的32 Gb DDR5 DRAM芯片，其采用12nm级工艺打造，可用于生产1TB的内存产品，从而巩固了三星在DRAM技术方面的全球领导地位。
