据日经新闻网2月2日消息，日本名古屋大学的研究团队研发出新型氮化铝功率半导体，可大幅降低电力损耗。该研究团队在氮化铝基板上用不同于原来的做法制造了2种氮化铝半导体，结果显示电子流动顺畅，分析性能发现，其可将电力损失降至碳化硅及氮化镓半导体的八分之一。名古屋大学须田淳教授表示，此次成果表明氮化铝半导体品质良好，希望5年后发布多种基于氮化铝的元器件。

消息来源：https://cn.nikkei.com/industry/scienceatechnology/54758-2024-02-02-10-42-18.html