据TechXplore网8月26日消息，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、香港城市大学和复旦大学的联合研究团队开发出新型二维低功耗场效应晶体管。研究人员使用厚度仅为1.25纳米的单晶氧化铝，并采用标准范德华转移方法制造了具有高质量介电界面的二维场效应晶体管。该晶体管的栅极宽度为100 µm，长度为250 nm，通过在栅极之间留有间隙，确保了完全的绝缘性。这种晶体管克服了高栅极漏电和低介电强度问题，有望推动下一代微型化电子设备的发展。相关研究成果发表于《自然》（Nature）期刊。

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