据量科网5月30日消息，英国剑桥大学研究团队在量子传感领域取得重大突破，首次利用六方氮化硼（hBN）中的自旋缺陷开发出可在室温下工作的纳米级矢量磁场传感器。在该研究中，研究团队利用光探测磁共振技术，成功追踪了hBN缺陷荧光对磁场变化的响应。通过仔细跟踪自旋响应，并结合光子发射动力学分析，揭示了系统的基本光学速率及其与缺陷对称性的内在关联，并最终研制出了这种性能稳健、多用途的新型磁场传感器。该成果标志着向更实用、更多功能的量子技术迈出了重要一步。相关研究发表在《自然·通讯》（Nature Communications）期刊。