据新华网7月19日消息，北京大学与中国人民大学组成的研究团队首创 “蒸笼”新方法，成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。研究团队通过将低质量、原子排列不规则的非晶硒化铟薄膜密封加热形成成富铟液态边界，最终生长为高质量、原子排列规则的硒化铟晶体。实验证明，基于二维硒化铟晶圆的集成器件，在关键电学性能指标与能效方面，分别可达3纳米硅基芯片的3倍和10倍。北大电子学院研究员邱晨光表示，团队现已制备出直径5厘米的硒化铟晶圆，并构建了高性能晶体管大规模阵列，可直接用于集成芯片器件。