据财联社9月2日消息，日本东北大学的研究人员开发出基于钨坩埚的新型晶体生长技术，首次在超2200°C下成功制备半导体和功能性单晶。传统铱、铂坩埚因熔点低受限，钨虽具高熔点却易与氧化物反应导致污染。研究人员通过创新工艺抑制副反应与杂质混入，获得高密度单晶，性能超越现有闪烁体。该成果为高熔点氧化物材料的规模化生产奠定基础，并有望加速其在半导体、光学、医学成像及压电等领域的应用。
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