据MGClouds蘑菇云 9月29日消息，俄罗斯科学院公布光刻机研发路线图，将分三阶段实现先进制程突破：2026年推出65-40nm光刻机（双镜系统、10nm套刻精度），2032年完成28nm光刻机（四镜系统、5nm套刻精度），最终2036年底前实现10nm以下EUV光刻机量产。该技术采用11.2nm镭射光源（区别于ASML的13.5nm），通过氙气激光器替代金属锡滴，可提升分辨率约20%并降低光学系统成本。但需重新设计反射镜（如钌铍镀膜）、光阻化学及EDA工具，难以兼容现有13.5nm生态。尽管第三阶段产能达每小时100片晶圆，仅为ASML EUV机台的一半，且需数年构建配套生态系统，但该路线为全球光刻技术提供了低成本替代方案。
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