据中国科技网10月21日消息，沙特阿卜杜拉国王科技大学研究人员成功研制出全球首个面向大面积电子器件的6层堆叠式混合互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片。研究团队有效克服了芯片多层堆叠中把控制造温度的难题，所有工艺步骤的温度均未超过150℃，多数步骤甚至接近室温完成，显著降低了材料受损风险。同时，研究团队还对制造工艺进行了优化，使表面平整度优于以往。此前公开报道的混合CMOS堆叠层数从未超过两层，这一突破标志着芯片集成密度与能效迈上新台阶，有助电子设备的小型化和性能提升。