据cnBeta网11月15日消息，美国斯坦福大学、卡内基梅隆大学、宾夕法尼亚大学和麻省理工学院组成的联合研究团队成功制造出美国首个在商业代工厂生产的单片3D集成电路原型。该原型芯片打破了传统的二维布局，采用单一连续工艺，将存储器和逻辑电路直接垂直堆叠在一起。工艺上，该芯片采用SkyWater公司成熟的90nm至130nm工艺，在其200mm生产线上制造而成。测试结果显示，与具有相似延迟和尺寸的同类二维实现方案相比，该芯片的堆叠结构的吞吐量提高了约四倍。据研究团队评估，通过持续垂直集成而非一味缩小晶体管尺寸，该架构最终有望在能量延迟积方面，实现100倍到1000倍的提升。