据TechXplore 6月2日，由日本东北大学与美国国家标准与技术研究院组成的研究团队利用成熟半导体制造工艺，在硅芯片上成功制备全球首个集成自旋电子概率比特（p比特）。与传统比特仅能处于0或1确定状态不同，p比特利用磁性纳米器件的物理随机性，在0与1之间高速波动，可并行探索大量可能状态，在组合优化、人工智能训练等复杂计算任务中展现出较高求解效率和能耗优势。研究团队表示，该成果推动自旋电子概率计算技术从实验室验证迈向规模化制造，为未来构建低成本、低能耗概率计算平台奠定技术基础。相关成果发表于《IEEE电子器件快报》（IEEE Electron Device Letters）。

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