据高端装备网9月28日消息，美国科学家研制出一种可逼真模拟神经突触行为的新型“扩散式忆阻器”。这种“扩散式忆阻器”由嵌入一个氧氮化硅薄膜(位于两个电极之间)内的银纳米粒子簇组成，通过施加和解除电脉冲刺激可以使设备在短期内模拟神经元突触内钙离子的活动。研究人员表示，新设备有助于开发类脑（神经形态）计算机，这种计算机将在执行感知和学习任务方面比传统计算机表现更好，也更节能。

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